Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (5) | Реферативна база даних (10) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Смородин А$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 6 Представлено документи з 1 до 6 |
|||
| 1. | 
Николаенко В. А. Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности [Електронний ресурс] / В. А. Николаенко, А. В. Смородин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2011. - Т. 9, Вип. 4. - С. 795-799. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2011_9_4_8 Использована квазиодномерная система поверхностных электронов над сверхтекучим гелием в качестве классической модели твердотельного квантового проводника. Выполнены экспериментальные исследования кинетики поведения электронов в узких каналах в присутствии заряда на подложке. Ход температурной зависимости в этих условиях имеет ступенчатый характер при температуре ниже 1,3 К, и параметры ступеней в различных опытах отличаются. Подобный характер зависимости не описывается классическими моделями переноса заряда, где учитывается рассеяние электронов в каналах на атомах гелия в паре и рипплонах. Предположено, что подобная зависимость является проявлением квантового характера переноса в электронных каналах. | ||
| 2. |
Смородин А. В. Анализ наношероховатостей подложек с использованием левитирующих электронов над сверхтекучей плёнкой гелия [Електронний ресурс] / А. В. Смородин, В. А. Николаенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2011. - Т. 9, Вип. 4. - С. 849-854. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2011_9_4_14 Описано устройство для исследования наношероховатостей подложек путём анализа проводимости левитирующих электронов над плёнкой жидкого гелия в зависимости от её толщины. Устройство представляет собой камеру для сверхтекучего гелия и измерительную ячейку с подложкой, горизонтально расположенной над измерительными электродами, которые в вертикальном направлении перемещаются с помощью электромеханической тяги. По характеристикам переноса электронов имеется возможность идентифицировать наношероховатости размером от единиц ангстремов при ненасыщенной гелиевой плёнке до 10<^>2 | ||
| 3. |
Николаенко В. А. Автолокализация поверхностных электронов над структурированной подложкой, покрытой гелием [Електронний ресурс] / В. А. Николаенко, А. В. Смородин, С. С. Соколов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2014. - Т. 12, Вип. 1. - С. 1-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2014_12_1_3 Экспериментально исследована проводимость поверхностных электронов над пленкой жидкого гелия, которая покрывает структурированную подложку из кремния, содержащую регулярную систему микропор, в температурном интервале Т = 1,5 - 2,7 К. Установлено, что в области <$ET~symbol У~2,5> К проводимость резко падает, что можно объяснить образованием автолокализованного поляронного состояния электрона над гелиевой пленкой. Для проверки предположения о возникновении поляронного состояния поверхностного электрона в плотном паре гелия выполнен теоретический расчет свободной энергии полярона, минимум которой появляется при повышении температуры до некоторого критического значения. А зависимость от прижимающего поля находится в качественном согласии с экспериментальными данными по температуре резкого падения проводимости. Расчет предсказывает зависимость критической температуры от параметров потенциала, действующего в плоскости поверхности гелия и связанного с искажением формы поверхности гелия из-за структуры подложки. Это способствует появлению локализованного заряда над пленкой гелия. Результаты сравниваются с данными по автолокализации квазиодномерных электронов в паровой фазе над гелием. | ||
| 4. | 
Смородин А. В. Поляронное состояние поверхностных электронов над гелием, покрывающим cтруктурированную подложку [Електронний ресурс] / А. В. Смородин, В. А. Николаенко, С. С. Соколов // Физика низких температур. - 2013. - Т. 39, № 10. - С. 1096-1103. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2013_39_10_10 В температурном интервале 1,5 - 2,7 К экспериментально исследована проводимость поверхностных электронов над пленкой жидкого гелия, которая покрывает структурированную подложку из кремния, содержащую регулярную систему микропор. Установлено, что в области <$ET~symbol У~2,5~roman К> проводимость резко падает, что можно объяснить образованием автолокализованного поляронного состояния электрона над гелиевой пленкой. Для проверки предположения о возникновении поляронного состояния поверхностного электрона в плотном паре гелия проведен расчет свободной энергии полярона, минимум которой появляется при повышении температуры до некоторого критического значения, а зависимость от прижимающего поля находится в качественном согласии с экспериментальными данными по температуре резкого падения проводимости. Расчет предсказывает зависимость критической температуры от параметров потенциала, действующего в плоскости поверхности гелия и связанного с искажением формы поверхности гелия из-за структуры подложки, что способствует появлению локализованного заряда над пленкой гелия. | ||
| 5. |
Николаенко В. А. Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре [Електронний ресурс] / В. А. Николаенко, А. В. Смородин, С. С. Соколов // Физика низких температур. - 2011. - Т. 37, № 2. - С. 119-126. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2011_37_2_3 Проведены экспериментальные исследования подвижности поверхностных электронов в квазиодномерных проводящих каналах над жидким гелием при температурах 1,5 - 3 К. Установлено, что при T | ||
| 6. |
Смородин А. В. Транспортные свойства поверхностных электронов в гелии над структурированной подложкой [Електронний ресурс] / А. В. Смородин, В. А. Николаенко, С. С. Соколов, Л. А. Карачевцева, О. А. Литвиненко // Физика низких температур. - 2012. - Т. 38, № 10. - С. 1158-1166. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2012_38_10_4 Предложена и реализована нульмерная электронная система над сверхтекучим гелием в цилиндрических макропорах структурированной подложки из кремния, которая переходит в диэлектрическое состояние при гелиевых температурах. Показано, что в присутствии прижимающего электрического поля глубина потенциальной ямы для электрона над сферически-вогнутой поверхностью гелия существенно зависит от радиуса жидкой поверхности, что позволяет варьировать параметры системы в широких пределах. Измерена проводимость поверхностных электронов над структурированной подложкой. Эксперименты проведены в интервале температур T | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |